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首页 全部分类 RS1E240BNTB vs FDMS8020

RS1E240BNTB备选型号: FDMS8020

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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RS1E240BNTB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    24A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 24A, 10V
    2.5V @ 1mA
    3900pF @ 15V
    70nC @ 10V
    30V
    ±20V
    24A
    0.0046Ohm
    96A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8020
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V 42A 2.5mohms NCh PowerTrench MOSFET
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    26A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    260
    30
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 26A, 10V
    3V @ 250μA
    3800pF @ 15V
    61nC @ 10V
    -
    ±20V
    26A
    0.0025Ohm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    68.1mg
    PowerTrench®
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    Single
    65W
    12 ns
    5.7ns
    4 ns
    MO-240AA
    20V
    42A
    30V
    93 mJ
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
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