RS1E280GNTB备选型号: FDMC7660S
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 功率耗散
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP20 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN870.590313mgSILICON28A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F51Single增强型MOSFETDRAIN19.9 nsN-ChannelSWITCHING2.6m Ω @ 28A, 10V2.5V @ 1mA2300pF @ 15V36nC @ 10V12.3ns±20V18 ns28A20V0.0033Ohm30VROHS3 Compliant无铅--------------
- MOSFET, N CH, 30V, 40A, POWER 33 - More Details10 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN832.13mgSILICON20A Ta 40A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008活跃1 (Unlimited)5EAR99DUAL----S-PDSO-N5-Single增强型MOSFETDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING2.2m Ω @ 20A, 10V2.5V @ 1mA4325pF @ 15V66nC @ 10V5ns±20V3.9 ns20A20V-30VROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)PowerTrench®, SyncFET™e3yes2.5MOhmTin (Sn)2.3WMO-240BA40A200A1.05mm3.3mm3.3mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS8020 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V 42A 2.5mohms NCh PowerTrench MOSFET | 对比 | |
| FDMS7660AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | N-Channel 30 V 42 A 2.4 mOhm Surface Mount PowerTrench® SyncFETTM - Power56 | 对比 | |
![]() | IRF8788TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO | 对比 |



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