RSD175N10TL备选型号: DMN10H100SK3-13

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 箱体转运
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    17.5A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2011
    e2
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Copper (Sn98Cu2)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    105m Ω @ 8.8A, 10V
    2.5V @ 1mA
    950pF @ 25V
    24nC @ 10V
    100V
    ±20V
    17.5A
    0.119Ohm
    35A
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 18A TO252
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 3.3A, 10V
    3V @ 250μA
    1172pF @ 50V
    25.2nC @ 10V
    100V
    ±20V
    18A
    0.08Ohm
    16A
    100V
    ROHS3 Compliant
    -
    DRAIN
    14A
    32.6 mJ
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