RT1A050ZPTR备选型号: FDC606P
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 阈值电压
- 双电源电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET P-CH 12V 5A TSST810 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8SILICON5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2009e2yes不用于新设计1 (Unlimited)8EAR9996MOhm锡铜DUAL260108SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.25W12 nsP-ChannelSWITCHING26m Ω @ 5A, 4.5V1V @ 1mA2800pF @ 6V34nC @ 4.5V95ns12V±10V220 ns5A10V5A-12V20A无ROHS3 Compliant无铅------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDC606P - P CHANNEL MOSFET, -12V, 6A, SUPER SOT-610 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2001e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9926MOhm-DUAL----增强型MOSFET1.6W11 nsP-ChannelSWITCHING26m Ω @ 6A, 4.5V1.5V @ 250μA1699pF @ 6V25nC @ 4.5V10ns12V±8V70 ns-6A8V6A-12V-无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)Tin36mgPowerTrench®SMD/SMT-12V鸥翼-6A1Single-500mV-12V150°C-500 mV1.1mm3mm1.7mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|


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