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首页 全部分类 RV2C014BCT2CL vs BSD840NH6327XTSA1

RV2C014BCT2CL备选型号: BSD840NH6327XTSA1

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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
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  • 上升时间
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RV2C014BCT2CL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    700mA Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    not_compliant
    未说明
    P-Channel
    300m Ω @ 1.4A, 4.5V
    1V @ 100μA
    100pF @ 10V
    20V
    ±8V
    700mA
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD840NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    -
    未说明
    2 N-Channel (Dual)
    400m Ω @ 880mA, 2.5V
    750mV @ 1.6μA
    78pF @ 10V
    -
    -
    880mA
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    OptiMOS™
    e3
    yes
    6
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    500mW
    鸥翼
    BSD840
    6
    2
    增强型MOSFET
    500mW
    1.9 ns
    无卤素
    0.26nC @ 2.5V
    2.2ns
    550mV
    8V
    20V
    3.5A
    0.4Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无铅
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