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RW1A013ZPT2R备选型号: MCH3382-TL-W
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT610 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON1150°C TJTape & Reel (TR)2013不用于新设计1 (Unlimited)6EAR99DUALFLAT1Single增强型MOSFET8 nsP-ChannelSWITCHING260m Ω @ 1.3A, 4.5V1V @ 1mA290pF @ 6V2.4nC @ 4.5V10ns12V±10V9 ns1.5A10V-12VROHS3 Compliant无无铅----
MOSFET P-CH 12V 2A MCPH34 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, Flat Lead--2A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2017Obsolete1 (Unlimited)--------P-Channel-198m Ω @ 1A, 4.5V900mV @ 1mA170pF @ 6V2.3nC @ 4.5V-12V±9V-2A--符合RoHS标准-无铅e6yesTin/Bismuth (Sn/Bi)unknown- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDG6316P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ON SEMICONDUCTOR - FDG6316P - Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Surface Mount | 对比 |
 | MCH6320-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6 | 对比 |
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