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首页 全部分类 RW1E025RPT2CR vs DMG6602SVT-7

RW1E025RPT2CR备选型号: DMG6602SVT-7

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  • 终止次数
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • RoHS状态
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  • 功率耗散
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RW1E025RPT2CR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    SILICON
    2.5A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    6
    R-PDSO-F6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 2.5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    480pF @ 10V
    5.2nC @ 5V
    30V
    ±20V
    2.5A
    0.075Ohm
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG6602SVT-7
    Diodes Incorporated
    N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    SILICON
    3.4A 2.8A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    6
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    N and P-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 3.1A, 10V
    2.3V @ 250μA
    400pF @ 15V
    13nC @ 10V
    -
    -
    2.8A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6
    2012
    95mOhm
    HIGH RELIABILITY
    840mW
    DMG6602
    840mW
    3 ns
    5ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    3 ns
    20V
    3.4A
    30V
    13A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    1mm
    2.9mm
    1.6mm
    无SVHC
    无
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