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S1GHE备选型号: S1JHE

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 电容量
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • ON Semiconductor
    S1GHE
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 400V 1A SOD323HE
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    2-SMD, Flat Lead
    6mg
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    8541.10.00.80
    3pF
    DUAL
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F2
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    1μA @ 400V
    1.1V @ 1A
    CATHODE
    1A
    -55°C~175°C
    1A
    400V
    1A
    782 ns
    20nA
    400V
    3pF @ 4V 1MHz
    20A
    175°C
    750μm
    ROHS3 Compliant
  • ON Semiconductor
    S1JHE
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 1A SOD323HE
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    2-SMD, Flat Lead
    6mg
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    8541.10.00.80
    -
    DUAL
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F2
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    1μA @ 600V
    1.1V @ 1A
    CATHODE
    1A
    -55°C~175°C
    1A
    600V
    1A
    782 ns
    -
    600V
    3pF @ 4V 1MHz
    20A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
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DLA11C-TR-E DLA11C-TR-E ON Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 2-SMD, J-Lead DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD 对比