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首页 全部分类 S25F vs JANTX1N5619

S25F备选型号: JANTX1N5619

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  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 电容@Vr, F
  • 最大非代表Pk前进电流
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 正向电压
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Semtech Corporation
    S25F
    Semtech Corporation
    DIODE GEN PURP 2.5KV 500MA AXIAL
    18 Weeks
    Axial
    通孔
    通孔
    SILICON
    175°C
    Bulk
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    8541.10.00.70
    DUAL
    WIRE
    unknown
    2
    E-XALF-W2
    不合格
    SINGLE
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    1μA @ 2500V
    5V @ 100mA
    ISOLATED
    -65°C~175°C
    0.23A
    2500V
    2.5kV
    500mA
    300 ns
    4pF @ 5V 1MHz
    10A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    JANTX1N5619
    Microsemi Corporation
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
    32 Weeks
    A, Axial
    通孔
    通孔
    SILICON
    1
    Bulk
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    8541.10.00.80
    -
    WIRE
    -
    2
    -
    Qualified
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    500nA @ 600V
    1.6V @ 3A
    ISOLATED
    -65°C~175°C
    1A
    -
    600V
    1A
    250 ns
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    2
    Military, MIL-PRF-19500/429
    1997
    e0
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    175°C
    -55°C
    1N5619
    Single
    1.6V
    500nA
    600V
    30A
    无
    含铅
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