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首页 全部分类 S25FL512SAGMFIR10 vs N25Q512A13GSF40G

S25FL512SAGMFIR10备选型号: N25Q512A13GSF40G

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  • 端子表面处理
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  • 功能数量
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  • 同步/异步
  • 编程电压
  • 串行总线类型
  • 耐力
  • 数据保持时间
  • 写入保护
  • 备用内存宽度
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  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 无铅代码
  • 基本部件号
  • 工作电源电压
  • 电压
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Cypress Semiconductor Corp
    S25FL512SAGMFIR10
    Cypress Semiconductor Corp
    IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    FL-S
    2014
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    16
    3A991.B.1.A
    Matte Tin (Sn)
    8542.32.00.51
    2.7V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3V
    1.27mm
    30
    3.6V
    3/3.3V
    2.7V
    SPI
    512Mb 64M x 8
    75mA
    133MHz
    8 ns
    FLASH
    SPI - Quad I/O
    64MX8
    8
    32b
    512 Mb
    0.0001A
    SERIAL
    Asynchronous
    3V
    SPI
    100000 Write/Erase Cycles
    20
    HARDWARE/SOFTWARE
    1
    512B
    85°C
    2.65mm
    10.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    N25Q512A13GSF40G
    Micron Technology Inc.
    IC FLASH 512M SPI 108MHZ 16SOP2
    -
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    -
    2012
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    16
    -
    -
    -
    2.7V~3.6V
    DUAL
    -
    1
    3V
    1.27mm
    -
    -
    -
    -
    SPI, Serial
    512Mb 128M x 4
    20mA
    108MHz
    5 ns
    FLASH
    SPI
    64MX8
    -
    1b
    512 Mb
    0.0005A
    -
    Synchronous
    -
    SPI
    100000 Write/Erase Cycles
    20
    HARDWARE/SOFTWARE
    -
    256B
    -
    2.5mm
    10.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    Tin
    yes
    N25Q512
    3V
    2.7V
    8ms, 5ms
    7.5mm
    无SVHC
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N25Q512A13GSF40G N25Q512A13GSF40G Micron Technology Inc. 存储器 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) IC FLASH 512M SPI 108MHZ 16SOP2 对比