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首页 全部分类 S29GL032N11FFIV20 vs S34MS01G200GHI000

S29GL032N11FFIV20备选型号: S34MS01G200GHI000

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  • JESD-609代码
  • 零件状态
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
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  • 电源
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  • 内存大小
  • 电源电流-最大值
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
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  • 待机电流-最大值
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  • 编程电压
  • 备用内存宽度
  • 数据轮询
  • 拨动位
  • 命令用户界面
  • 扇区/尺寸数
  • 行业规模
  • 页面尺寸
  • 准备就绪/忙碌
  • 引导模块
  • 通用闪存接口
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 操作模式
  • 记忆密度
  • Cypress Semiconductor Corp
    S29GL032N11FFIV20
    Cypress Semiconductor Corp
    IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA
    8 Weeks
    表面贴装
    64-LBGA
    YES
    64
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    GL-N
    2017
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    64
    Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
    8542.32.00.51
    1.65V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    3V
    1mm
    40
    3.6V
    1.8/3.33/3.3V
    2.7V
    32Mb 4M x 8 2M x 16
    0.05mA
    FLASH
    Parallel
    2MX16
    16
    110ns
    32 Mb
    0.000005A
    110 ns
    3V
    8
    YES
    YES
    YES
    64
    64K
    8/16words
    YES
    BOTTOM/TOP
    YES
    13mm
    1.4mm
    11mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    S34MS01G200GHI000
    Cypress Semiconductor Corp
    IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA
    6 Weeks
    表面贴装
    67-VFBGA
    YES
    67
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    MS-2
    2016
    -
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    67
    -
    8542.32.00.51
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1.8V
    0.8mm
    未说明
    1.95V
    -
    1.7V
    1Gb 128M x 8
    -
    FLASH
    Parallel
    128MX8
    8
    45ns
    -
    -
    -
    1.8V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    8mm
    1mm
    6.5mm
    -
    ROHS3 Compliant
    ASYNCHRONOUS
    1073741824 bit
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