S29GL032N90DFI030备选型号: SST39VF200A-70-4C-EKE
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 操作模式
- 电源电流-最大值
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 编程电压
- 备用内存宽度
- 数据轮询
- 拨动位
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 页面尺寸
- 准备就绪/忙碌
- 引导模块
- 通用闪存接口
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- Current - Supply (Nom)
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 访问时间
- 数据总线宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 行业规模
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IC FLASH 32M PARALLEL 64BGA6 Weeks表面贴装64-LBGAYES64Non-Volatile-40°C~85°C TATrayGL-N2017Obsolete3 (168 Hours)643A991.B.1.A8542.32.00.513VBOTTOM未说明11mm未说明不合格3/3.3V32Mb 4M x 8 2M x 16ASYNCHRONOUS0.05mAFLASHParallel2MX161690ns0.000005A33554432 bit90 ns3V8YESYES3.6V2.7VYES8638/16wordsYESTOPYES9mm1.4mm9mmROHS3 Compliant----------------
- MICROCHIP - SST39VF200A-70-4C-EKE - 2M FLASH MEMORY, 2KWORD SECTOR, SMD7 Weeks表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)YES48Non-Volatile0°C~70°C TATraySST39 MPF™2000活跃3 (168 Hours)483A991.B.1.A8542.32.00.513.3VDUAL26010.5mm40--2Mb 128K x 16--FLASHParallel128KX16-20μs0.00002A--2.7V-YESYES3.6V2.7VYES64---YES18.5mm-12.2mmROHS3 Compliant30mAe3yesMatte Tin (Sn) - annealedSST39VF200A70ns16b17b2 MbAsynchronous16b2K1.05mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S29AL016J70FFI022 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 64-LBGA | IC FLASH 16M PARALLEL 64FBGA | 对比 | |
| S29AL016J70FFI020 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 64-LBGA | IC FLASH 16M PARALLEL 64FBGA | 对比 | |
| S29GL064N90DFI020 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 64-LBGA | IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA | 对比 |



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