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首页 全部分类 S29GL256S90DHI010 vs MT29F4G08ABADAH4-AITX:D

S29GL256S90DHI010备选型号: MT29F4G08ABADAH4-AITX:D

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  • 引导模块
  • 通用闪存接口
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  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 工作电源电压
  • 操作模式
  • 宽度
  • Cypress Semiconductor Corp
    S29GL256S90DHI010
    Cypress Semiconductor Corp
    IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    64-LBGA
    64
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    GL-S
    2003
    活跃
    3 (168 Hours)
    64
    3A991.B.1.A
    8542.32.00.51
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3V
    1mm
    3.6V
    3/3.3V
    2.7V
    256Mb 16M x 16
    60mA
    90ns
    FLASH
    Parallel
    16b
    32MX8
    8
    60ns
    24b
    256 Mb
    0.0001A
    Asynchronous
    16b
    3V
    YES
    YES
    YES
    256
    64K
    32B
    YES
    BOTTOM/TOP
    YES
    9mm
    1.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT29F4G08ABADAH4-AITX:D
    Micron Technology Inc.
    IC FLASH 4G PARALLEL FBGA
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    63-VFBGA
    63
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    2017
    活跃
    -
    63
    -
    -
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    0.8mm
    3.6V
    -
    2.7V
    4Gb 512M x 8
    -
    -
    FLASH
    Parallel
    -
    512MX8
    8
    -
    -
    4 Gb
    -
    -
    -
    1.8V
    -
    -
    -
    -
    -
    2kB
    -
    -
    -
    11mm
    1mm
    -
    符合RoHS标准
    Copper, Silver, Tin
    未说明
    未说明
    3.3V
    ASYNCHRONOUS
    9mm
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