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首页 全部分类 S29GL512S10DHI010 vs MT29F4G08ABADAH4-AITX:D

S29GL512S10DHI010备选型号: MT29F4G08ABADAH4-AITX:D

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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 操作模式
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 编程电压
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • Cypress Semiconductor Corp
    S29GL512S10DHI010
    Cypress Semiconductor Corp
    IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
    13 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    64-LBGA
    64
    64-FBGA (9x9)
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    GL-S
    2012
    活跃
    3 (168 Hours)
    85°C
    -40°C
    2.7V~3.6V
    Parallel
    3.6V
    2.7V
    512Mb 32M x 16
    60mA
    100ns
    FLASH
    Parallel
    16b
    60ns
    25b
    512 Mb
    Asynchronous
    16b
    32B
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT29F4G08ABADAH4-AITX:D
    Micron Technology Inc.
    IC FLASH 4G PARALLEL FBGA
    4 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    63-VFBGA
    63
    -
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    2017
    活跃
    -
    -
    -
    2.7V~3.6V
    -
    -
    -
    4Gb 512M x 8
    -
    -
    FLASH
    Parallel
    -
    -
    -
    4 Gb
    -
    -
    2kB
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    63
    BOTTOM
    未说明
    1
    3.3V
    0.8mm
    未说明
    3.3V
    3.6V
    2.7V
    ASYNCHRONOUS
    512MX8
    8
    1.8V
    11mm
    1mm
    9mm
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