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首页 全部分类 S8-4150E3/TR7 vs MB6S

S8-4150E3/TR7备选型号: MB6S

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  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
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  • 生命周期状态
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  • 容差
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  • 额定电流
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  • 箱码（英制）
  • 螺纹距离
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 正向电流
  • 引线/基座样式
  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 电压 - 峰值反向（最大值）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 座位高度(最大)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    S8-4150E3/TR7
    Microsemi Corporation
    DIODE ARRAY GP 50V 400MA 8SOIC
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8-SOIC
    Tape & Reel (TR)
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    S8-4150
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100nA @ 50V
    1V @ 200mA
    -55°C~150°C
    50V
    400mA DC
    50V
    400mA
    4 ns
    4 Independent
    符合RoHS标准
    -
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    MB6S
    ON Semiconductor
    BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-269AA, 4-BESOP
    4-SOIC
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    MB6
    -
    单相
    5μA @ 600V
    1V @ 500mA
    -
    -
    500mA
    -
    500mA
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    4
    228mg
    1
    -55°C~150°C TJ
    20%
    150°C
    -55°C
    2.2μF
    600V
    500mA
    2012
    0805
    5.0038mm
    Single
    1.4W
    500mA
    500mA
    Straight
    5μA
    35A
    1V
    5μA
    600V
    35A
    600V
    35A
    600V
    150°C
    2.9mm
    8.001mm
    1.6002mm
    4.2mm
    558.8μm
    无SVHC
    无
    无铅
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