SC8673010L备选型号: ECH8695R-TL-W
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 30V 16A/40A 8-HSO12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSMD, Flat Leads8SILICON16A 40A-40°C~85°C TJDigi-Reel®活跃1 (Unlimited)6EAR9934W未说明unknown未说明R-PDSO-F6DualDEPLETION MODE34WDRAIN7 ns1.7W 2.5W2 N-Channel (Dual) AsymmetricalSWITCHING10m Ω @ 8A, 10V3V @ 4.38mA5180pF @ 10V6.3nC @ 4.5V14ns9 ns40A3V10A0.014Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门950μm4.9mm5.9mm符合RoHS标准--------
- MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT286 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8-19.7 μs150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)-EAR991.4W未说明not_compliant未说明-Dual---300 ns-2 N-Channel (Dual) Common Drain-9.1m Ω @ 5A, 4.5V1.3V @ 1mA-10nC @ 4.5V320ns22.3 μs11A12.5V--24VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 2.5V Drive900μm2.9mm2.3mmROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)Tin2013e6yes224V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ECH8693R-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin SOT-28 FL T/R | 对比 | |
| MCH3474-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3 | 对比 |



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