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首页 全部分类 SFT1458-TL-H vs FQD1N50TM

SFT1458-TL-H备选型号: FQD1N50TM

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • ON Semiconductor
    SFT1458-TL-H
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin TP-FA T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    1A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1
    Single
    6 ns
    N-Channel
    13 Ω @ 500mA, 10V
    65pF @ 20V
    3.8nC @ 10V
    11ns
    ±30V
    60 ns
    1A
    30V
    600V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD1N50TM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    1.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    -
    N-Channel
    9 Ω @ 550mA, 10V
    150pF @ 25V
    5.5nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    20 ns
    1.1A
    30V
    500V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    QFET®
    500V
    1.1A
    2.5W
    5V @ 250μA
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IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 对比