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SH8M41GZETB备选型号: FW813-TL-H
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 场效应管特性
- RoHS状态
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- 端子表面处理
- 功率耗散
- 无铅
MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP20 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)83.4A 2.6A150°C TJTape & Reel (TR)2010yes活跃1 (Unlimited)2W未说明未说明214 nsN and P-Channel130m Ω @ 3.4A, 10V2.5V @ 1mA600pF @ 10V9.2nC @ 5V12ns80V20 ns2.6A-20V-80VLogic Level Gate, 4V DriveROHS3 Compliant----
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SOP T/R-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)82150°C TJTape & Reel (TR)2010yesObsolete1 (Unlimited)2.3W----2 N-Channel (Dual)49m Ω @ 5A, 10V-725pF @ 20V15nC @ 10V-60V-5A20V-逻辑电平门符合RoHS标准e6Tin/Bismuth (Sn/Bi)2.5W无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | 对比 |
 | DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOP-8 | 对比 |
| DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC | 对比 |
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