SI53307-B-GMR备选型号: 5PB1110NDGI
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 类型
- 电压 - 供电
- 输出量
- 电路数量
- 传播延迟
- 输入
- 比率-输入:输出
- 差分 - 输入:输出
- 最大工作周期
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- JESD-609代码
- 终止次数
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 温度等级
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 输出特性
- 逻辑IC类型
- 传播延迟(tpd)
- 同边偏斜-最大(tskwd)
- 真实输出的数量
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 无铅
- IC CLK BUFFER 2:4 725MHZ 16QFN6 Weeks表面贴装表面贴装16-VFQFN Exposed Pad725MHz-40°C~85°CTape & Reel (TR)1997yes活跃2 (1 Year)Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer1.71V~3.63VCML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL11.075 nsCML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL2:4Yes/Yes60 %无符合RoHS标准---------------------------
- 1.8 V to 3.3 V 1:10 LVCMOS High Performance Clock Buffer7 Weeks表面贴装-QFN200MHz--1999yes活跃1 (Unlimited)---1-LVCMOS----符合RoHS标准Tin20e320105°C-40°CIT ALSO OPERATES WITH 2.5V,3.3VQUAD无铅26011.8V0.4mm未说明20INDUSTRIAL3.465V1.71V3-STATE低时序偏斜时钟驱动器3 ns0.065 ns103mm3mm1mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI53302-B-GM | Silicon Labs | 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 | 44-VFQFN Exposed Pad | Clock Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer, Translator IC 725MHz 44-VFQFN Exposed Pad | 对比 | |
| SI53304-B-GM | Silicon Labs | 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 | 32-VFQFN Exposed Pad | IC TRANSLATOR BUFF/LEVEL 32QFN | 对比 | |
| SI53306-B-GM | Silicon Labs | 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 | 16-VFQFN Exposed Pad | IC BUFFER/LEVEL XLATOR 1:4 16QFN | 对比 |



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