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首页 全部分类 SI8221CC-D-IS vs MC34151DR2G

SI8221CC-D-IS备选型号: MC34151DR2G

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  • 生命周期状态
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  • 电压 - 供电
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  • 电源电流
  • 功率耗散
  • 输入类型
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  • 信道型
  • 驱动器数量
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Silicon Labs
    SI8221CC-D-IS
    Silicon Labs
    Gate Drivers 3.75kV 0.5A Opto Input ISOdriver
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    540.001716mg
    40 ns
    -40°C~125°C
    Tube
    Automotive, AEC-Q100
    2015
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    1.2W
    DUAL
    鸥翼
    1
    12V
    1
    CQC, CSA, UR, VDE
    3750Vrms
    500mA
    24V
    6.5V
    20mA
    Single
    500mA
    2.5V Max
    40 ns
    60 ns
    30ns
    30 ns
    30ns 30ns Max
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    30mA
    0.06 μs
    60ns, 40ns
    30kV/μs (Typ)
    0.5A
    0.04 μs
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    12.2V~24V
    4.9mm
    3.9mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MC34151DR2G
    ON Semiconductor
    IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    Low-Side
    0°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    560mW
    DUAL
    鸥翼
    2
    12V
    -
    -
    -
    1.5A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100 ns
    100 ps
    31ns
    32 ns
    31ns 32ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    -
    0.1 μs
    -
    -
    1.5A
    0.1 μs
    -
    -
    5mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    6.5V~18V
    260
    40
    MC34151
    8
    12V
    10.5mA
    560mW
    Inverting
    无卤素
    Independent
    2
    N-Channel MOSFET
    1.5A 1.5A
    NO
    1.5mm
    无SVHC
    无
    无铅
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