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首页 全部分类 SK8403180L vs ECH8693R-TL-W

SK8403180L备选型号: ECH8693R-TL-W

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Panasonic Electronic Components
    SK8403180L
    Panasonic Electronic Components
    MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerSMD, Flat Leads
    8
    SILICON
    12A Ta 39A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    未说明
    unknown
    未说明
    S-PDSO-F5
    Single
    DEPLETION MODE
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.1m Ω @ 8.5A, 10V
    3V @ 1.45mA
    1680pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    6ns
    ±20V
    6 ns
    39A
    3V
    12A
    30V
    51A
    950μm
    3.05mm
    3.05mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ECH8693R-TL-W
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin SOT-28 FL T/R
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    545 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    7m Ω @ 5A, 4.5V
    -
    -
    13nC @ 4.5V
    525ns
    -
    22.2 μs
    14A
    12.5V
    -
    24V
    60A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    2015
    e6
    yes
    1.4W
    8
    2
    24V
    0.0091Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    无
    无铅
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