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首页 全部分类 SK8603190L vs NTMFS4839NHT1G

SK8603190L备选型号: NTMFS4839NHT1G

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Panasonic Electronic Components
    SK8603190L
    Panasonic Electronic Components
    MOSFET N-CH 30V 12A 8HSO
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerSMD, Flat Leads
    8
    SILICON
    12A Ta 19A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    未说明
    unknown
    未说明
    R-PDSO-F5
    Single
    DEPLETION MODE
    19W
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 8A, 10V
    3V @ 1.01mA
    1092pF @ 10V
    6.3nC @ 4.5V
    3ns
    ±20V
    4 ns
    19A
    20V
    12A
    0.014Ohm
    30V
    950μm
    4.9mm
    5.9mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4839NHT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5mOhm
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    8
    SILICON
    9.5A Ta 64A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    260
    -
    40
    R-PDSO-F6
    Single
    增强型MOSFET
    5.7W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2354pF @ 12V
    43.5nC @ 11.5V
    19.6ns
    ±20V
    3.4 ns
    64A
    20V
    15A
    0.0103Ohm
    30V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    FLAT
    8
    192A
    109 mJ
    无
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