SKI07074备选型号: FDB060AN08A0
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 晶体管应用
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- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
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- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 75V 85A TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB85A Tc150°C TJCut Tape (CT)2014Discontinued1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel6.6m Ω @ 44A, 10V2.5V @ 1.5mA6340pF @ 25V91nC @ 10V75V±20V85A符合RoHS标准无铅------------------------------
- MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB16A Ta 80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)--N-Channel6m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA5150pF @ 25V95nC @ 10V-±20V80AROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)8 Weeks1.31247gSILICONPowerTrench®e3yes2EAR996MOhmTin (Sn)75V鸥翼80AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET255WDRAIN19 nsSWITCHING79ns38 ns20V75V350 mJ4.83mm10.67mm11.33mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB100N08S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
![]() | AUIRF3808S | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK | 对比 |
![]() | IPB100N08S207ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | 对比 |





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