SLA5085备选型号: 2SC3332T-AA
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 频率
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 宽度
- 长度
- 高度
- 无铅
- MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP12 Weeks通孔通孔12-SIPSILICON5150°C TJTube2001yes不用于新设计1 (Unlimited)12EAR998541.29.00.955WSINGLE未说明unknown未说明12R-PSFM-T12不合格COMMON SOURCE, 5 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATED5W5 N-Channel, Common Source220m Ω @ 3A, 4V2V @ 250μA320pF @ 10V60V10A0.22Ohm60V30 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门符合RoHS标准----------------------
- Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 3-Pin NP Box4 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)-160V150°C TJTape & Box (TB)2012yesObsolete1 (Unlimited)-EAR99-700mW----3-----------------符合RoHS标准Tin3400mV120MHz2SC3332Single700mW120MHzNPNNPN160V700mA100 @ 100mA 5V100nA ICBO400mV @ 25mA, 250mA160V180V6V4mm5mm5mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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