SP8K1TB备选型号: DMP3098LSD-13
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 附加功能
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2150°C TJTape & Reel (TR)2004e2yesObsolete1 (Unlimited)8EAR99锡铜30V2W鸥翼2605A10*K18SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2W6 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING51m Ω @ 5A, 10V2.5V @ 1mA230pF @ 10V5.5nC @ 5V8ns5 ns5A20V5A30V20AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅--------
- Trans MOSFET P-CH 30V 4.4A 8-Pin SOP T/R表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)-1.8W鸥翼260-40-8-增强型MOSFET1.8W6 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING65m Ω @ 5A, 10V2.1V @ 250μA336pF @ 25V7.8nC @ 10V5ns5 ns4.4A20V-30V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant-73.992255mgHIGH RELIABILITY30V0.065Ohm1.5mm5.3mm4.1mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOP-8 | 对比 |
![]() | DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC | 对比 |




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