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首页 全部分类 SP8K2FU6TB vs ZXMN3G32DN8TA

SP8K2FU6TB备选型号: ZXMN3G32DN8TA

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 终端
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    SP8K2FU6TB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    2W
    *K2
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    30m Ω @ 6A, 10V
    2.5V @ 1mA
    520pF @ 10V
    10.1nC @ 5V
    30V
    6A
    2.5V
    6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN3G32DN8TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    2.1W
    -
    增强型MOSFET
    1.8W
    2 N-Channel (Dual)
    28m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    472pF @ 15V
    10.5nC @ 10V
    -
    7.1A
    3V
    5.5A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    73.992255mg
    SILICON
    5.5A
    e3
    yes
    8
    SMD/SMT
    45mOhm
    Matte Tin (Sn)
    鸥翼
    260
    40
    8
    2
    Dual
    2.1W
    2.5 ns
    SWITCHING
    3.1ns
    9.7 ns
    20V
    30V
    30V
    3 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC 对比