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首页 全部分类 SPA04N50C3XKSA1 vs FQPF9N50T

SPA04N50C3XKSA1备选型号: FQPF9N50T

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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    SPA04N50C3XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    31W
    ISOLATED
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 2.8A, 10V
    3.9V @ 200μA
    无卤素
    470pF @ 25V
    22nC @ 10V
    5ns
    560V
    ±20V
    10 ns
    4.5A
    TO-220AB
    20V
    500V
    0.95Ohm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF9N50T
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    5.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    50W
    -
    -
    N-Channel
    -
    730m Ω @ 2.65A, 10V
    5V @ 250μA
    -
    1450pF @ 25V
    36nC @ 10V
    95ns
    -
    ±30V
    60 ns
    5.3A
    -
    30V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    500V
    5.3A
    Single
    500V
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