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首页 全部分类 SPA15N60CFDXKSA1 vs IPA60R280P6XKSA1

SPA15N60CFDXKSA1备选型号: IPA60R280P6XKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    SPA15N60CFDXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    1
    5V @ 750μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    34W
    ISOLATED
    43 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    330m Ω @ 9.4A, 10V
    无卤素
    1820pF @ 25V
    84nC @ 10V
    24ns
    650V
    ±20V
    5 ns
    13.4A
    TO-220AB
    20V
    600V
    460 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R280P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    13.8A Tc
    4.5V @ 430μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    32W
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    280mOhm @ 5.2A, 10V
    无卤素
    1190pF @ 100V
    25.5nC @ 10V
    6ns
    600V
    ±20V
    6 ns
    13.8A
    -
    20V
    600V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    PG-TO220-FP
    6.000006g
    150°C
    -55°C
    1
    1.19nF
    252mOhm
    280 mΩ
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