SPB18P06P备选型号: NTB22N06T4

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Reach合规守则
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    18.7A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2006
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    雪崩 额定
    8541.29.00.95
    -60V
    SINGLE
    鸥翼
    220
    -18.6A
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    130m Ω @ 13.2A, 10V
    4V @ 1mA
    860pF @ 25V
    28nC @ 10V
    60V
    ±20V
    18.7A
    0.13Ohm
    74.8A
    151 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    22A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2004
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -
    -
    60V
    SINGLE
    鸥翼
    -
    22A
    -
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    60m Ω @ 11A, 10V
    4V @ 250μA
    700pF @ 25V
    32nC @ 10V
    -
    ±20V
    22A
    0.06Ohm
    66A
    72 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    not_compliant
    SWITCHING
    39ns
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