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SPB80N06S2-08备选型号: IPB80N06S2L07ATMA3
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 无铅代码
- 最大双电源电压
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2003e0Obsolete1 (Unlimited)2EAR99锡铅雪崩 额定55VSINGLE鸥翼未说明unknown80A未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel8m Ω @ 58A, 10V4V @ 150μA3800pF @ 25V96nC @ 10V±20V80A0.008Ohm320A450 mJNon-RoHS Compliant含铅---- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2006-活跃1 (Unlimited)2EAR99-逻辑电平兼容-SINGLE鸥翼未说明not_compliant-未说明-R-PSSO-G2-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel6.7m Ω @ 60A, 10V2V @ 150μA3160pF @ 25V130nC @ 10V±20V80A0.0097Ohm320A450 mJROHS3 Compliant含铅10 Weeksyes55V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF3205ZSTRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
| AUIRF1010ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
 | HUF75344S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
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