SPD08P06PGBTMA1备选型号: IRFR120NTRPBF
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 供应商器件包装
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON8.83A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®1999e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)雪崩 额定-60VSINGLE鸥翼未说明not_compliant-8.8A未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET42W16 nsP-Channel300m Ω @ 10A, 6.2V4V @ 250μA不含卤素420pF @ 25V13nC @ 10V46ns60V±20V14 ns-8.83A-3V20V-60V-60V70 mJ175°C2.5mmROHS3 Compliant含铅-----------------
- MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-9.4A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1998--活跃1 (Unlimited)----100V----9.1A-----1-39W4.5 nsN-Channel210mOhm @ 5.6A, 10V4V @ 250μA-330pF @ 25V25nC @ 10V23ns100V±20V23 ns9.4A4V20V-100V-175°C2.52mmROHS3 Compliant无铅TinD-PakSMD/SMT210mOhm175°C-55°CSingle100V330pF150 ns210mOhm210 mΩ4 V6.7056mm6.22mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SFT1443-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET NCH 100V 9A TP-FA(DPAK) | 对比 |





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