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首页 全部分类 SPP08P06PHXKSA1 vs STP10P6F6

SPP08P06PHXKSA1备选型号: STP10P6F6

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  • 引脚数量
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  • 配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    SPP08P06PHXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-220
    12 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    SIPMOS®
    1999
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    16 ns
    P-Channel
    300m Ω @ 6.2A, 10V
    4V @ 250μA
    无卤素
    420pF @ 25V
    15nC @ 10V
    46ns
    60V
    ±20V
    14 ns
    8.8A
    TO-220AB
    20V
    -60V
    70 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP10P6F6
    STMicroelectronics
    MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A pwr MOSFET
    20 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    -
    SILICON
    10A Tc
    175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    35W
    -
    P-Channel
    160m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    340pF @ 48V
    6.4nC @ 10V
    7ns
    -
    ±20V
    10 ns
    10A
    TO-220AB
    20V
    -
    80 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    STP10
    R-PSFM-T3
    Single
    DRAIN
    SWITCHING
    60V
    40A
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BUZ73HXKSA1 BUZ73HXKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin(3 Tab) TO-220 对比