SPS02N60C3备选型号: IPU50R3K0CEBKMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
    3
    SILICON
    1.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    e3
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    25W
    6 ns
    N-Channel
    3 Ω @ 1.1A, 10V
    3.9V @ 80μA
    200pF @ 25V
    12.5nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    12 ns
    1.8A
    20V
    600V
    3Ohm
    650V
    5.4A
    650V
    50 mJ
    3 V
    Unknown
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-251 Tube
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    1.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ CE
    2013
    -
    no
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    3
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    7.3 ns
    N-Channel
    3 Ω @ 400mA, 13V
    3.5V @ 30μA
    84pF @ 100V
    4.3nC @ 10V
    5.8ns
    ±20V
    49 ns
    1.7A
    20V
    500V
    3Ohm
    550V
    4.1A
    -
    18 mJ
    -
    -
    符合RoHS标准
    含铅
    SWITCHING
    无卤素
    6.22mm
    6.73mm
    2.41mm
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