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首页 全部分类 SSM2212CPZ-R7 vs DTA115EUAT106

SSM2212CPZ-R7备选型号: DTA115EUAT106

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  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Analog Devices Inc.
    SSM2212CPZ-R7
    Analog Devices Inc.
    TRANS 2NPN 40V 0.02A 16WLCSP
    PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-WFQFN Exposed Pad, CSP
    16
    SILICON
    40V
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    no
    活跃
    3 (168 Hours)
    16
    Tin (Sn)
    QUAD
    无铅
    260
    30
    SSM2212
    16
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    AMPLIFIER
    NPN
    2 NPN (Dual)
    20mA
    300 @ 1mA 15V
    200MHz
    40V
    200MHz
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    DTA115EUAT106
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    -
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    -
    50V
    -
    Tape & Reel (TR)
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    DTA115
    3
    -
    SWITCHING
    -
    PNP - Pre-Biased
    20mA
    82 @ 5mA 5V
    250MHz
    50V
    250MHz
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Copper, Silver, Tin
    2011
    SMD/SMT
    EAR99
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    8541.21.00.75
    -50V
    200mW
    -20mA
    100mA
    50V
    PNP
    Single
    200mW
    300mV
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    100 k Ω
    -100mA
    100 k Ω
    无SVHC
    无
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