SST26VF016B-104I/SM备选型号: SST25VF016B-75-4I-QAF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 并行/串行
- 编程电压
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 页面尺寸
- 引导模块
- 环境温度范围高
- 反向引脚排列
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅代码
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 访问时间
- 数据总线宽度
- 地址总线宽度
- 同步/异步
- 字长
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIJ4 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)8Non-Volatile-40°C~85°C TATubeSST26 SQI®2014e3活跃1 (Unlimited)83A991.B.1.AMatte Tin (Sn) - annealed2.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm40SST26VF016B不合格3.6V3/3.3V2.7VSPI16Mb 2M x 88mASYNCHRONOUS104MHzFLASHSPI - Quad I/O16MX11.5ms16 Mb0.000025ASERIAL2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles100HARDWARE/SOFTWARE256BBOTTOM/TOP85°CNO2.03mm5.26mm5.25mmROHS3 Compliant-----------
- MICROCHIP - SST25VF016B-75-4I-QAF - MEMORY, FLASH, 16MBIT, SPI, 8WSON-表面贴装表面贴装8-WDFN Exposed Pad8Non-Volatile-40°C~85°C TATubeSST252005e4Obsolete3 (168 Hours)8EAR99镍钯金2.7V~3.6VDUAL-13V1.27mm-SST25VF016B-3.6V-2.7VSPI, Serial16Mb 2M x 820mA-80MHzFLASHSPI16MX110μs16 Mb0.00002A-2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles100HARDWARE/SOFTWARE----750μm6mm5mmROHS3 Compliantyes83.3V6 ns8b1bSynchronous8b无无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| M25PE16-VMW6G | Micron Technology Inc. | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | MICRON - M25PE16-VMW6G - FLASH, SERIAL, 16MBIT, 8WSOIC | 对比 | |
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | MICROCHIP - SST25VF016B-50-4I-S2AF - 16M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8 | 对比 |




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