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首页 全部分类 SST26VF032B-104I/TD vs IS66WVH8M8BLL-100B1LI

SST26VF032B-104I/TD备选型号: IS66WVH8M8BLL-100B1LI

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  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 操作模式
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 记忆密度
  • 座位高度(最大)
  • Microchip Technology
    SST26VF032B-104I/TD
    Microchip Technology
    Flash Serial 3V 32Mbit 32M x 1Bit 24-Pin TBGA
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    24-TBGA
    24
    24-TBGA (6x8)
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    SST26 SQI®
    2013
    活跃
    3 (168 Hours)
    85°C
    -40°C
    2.7V~3.6V
    104MHz
    SST26VF032
    3V
    SPI, Serial
    3.6V
    2.7V
    32Mb 4M x 8
    104MHz
    9.6 ns
    FLASH
    SPI - Quad I/O
    1.5ms
    32 Mb
    256B
    850μm
    8mm
    6mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS66WVH8M8BLL-100B1LI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    PSRAM Sync Single Port 64M-bit 8M x 8 40ns 24-Pin TFBGA
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    24-TBGA
    24
    -
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    2.7V~3.6V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    64Mb 8M x 8
    100MHz
    -
    PSRAM
    Parallel
    40ns
    -
    -
    -
    8mm
    6mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    24
    BOTTOM
    未说明
    1
    3V
    1mm
    未说明
    3.6V
    2.7V
    SYNCHRONOUS
    8MX8
    8
    67108864 bit
    1.2mm
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