SST26VF064B-104I/SM备选型号: M25PE16-VMW6G
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 筛选水平
- 并行/串行
- 编程电压
- 页面尺寸
- 引导模块
- 环境温度范围高
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 电压
- 电源电流
- 地址总线宽度
- 待机电流-最大值
- 同步/异步
- 字长
- 串行总线类型
- 耐力
- 写入周期时间 - 最大值
- 数据保持时间
- 写入保护
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIJ6 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)8Non-Volatile-40°C~85°C TATubeSST26 SQI®2006e3活跃1 (Unlimited)82.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm40SST26VF0643V3.6V2.7VSPI64Mb 8M x 8SYNCHRONOUS104MHz8 nsFLASHSPI - Quad I/O64MX11.5ms64 MbTS 16949SERIAL3V256BBOTTOM/TOP85°C2.03mm5.26mm5.25mmROHS3 Compliant无铅------------------
- MICRON - M25PE16-VMW6G - FLASH, SERIAL, 16MBIT, 8WSOIC13 Weeks--表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)8Non-Volatile-40°C~85°C TATube-2012e4Obsolete3 (168 Hours)82.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm30M25PE163.3V--SPI, Serial16Mb 2M x 8-75MHz8 nsFLASHSPI-15ms, 3ms16 Mb---256B--1.75mm4.9mm3.9mmROHS3 Compliant-YESyesEAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)82.7V12mA1b0.00001ASynchronous8bSPI100000 Write/Erase Cycles15ms20HARDWARE/SOFTWARE无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| N25Q064A13ESE40G | Micron Technology Inc. | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 64M-bit 64M/32M/16M x 1/2-bit/4-bit 7ns 8-Pin SO W Tube | 对比 | |
| SST25VF040B-80-4I-S2AE | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | MICROCHIP - SST25VF040B-80-4I-S2AE - Flash Memory, Serial NOR, 4 Mbit, SPI, SOIC, 8 Pins | 对比 |



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