SST26WF080BT-104I/SN备选型号: SST26VF016B-104I/SM
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 筛选水平
- 并行/串行
- 编程电压
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- ECCN 代码
- 资历状况
- 电源
- 电源电流
- 密度
- 待机电流-最大值
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 页面尺寸
- 引导模块
- 环境温度范围高
- 反向引脚排列
- 高度
- IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC7 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YESNon-Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)SST26 SQI®2014e3活跃1 (Unlimited)8Matte Tin (Sn) - annealed1.65V~1.95VDUAL26011.8V1.27mm40SST26WF080R-PDSO-G81.95V1.65VSPI8Mb 1M x 8SYNCHRONOUS104MHzFLASHSPI - Quad I/O80MX111.5ms83886080 bitTS 16949SERIAL1.8V4.9mm1.75mm3.9mmROHS3 Compliant-----------------
- IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIJ4 Weeks表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)-Non-Volatile-40°C~85°C TATubeSST26 SQI®2014e3活跃1 (Unlimited)8Matte Tin (Sn) - annealed2.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm40SST26VF016B-3.6V2.7VSPI16Mb 2M x 8SYNCHRONOUS104MHzFLASHSPI - Quad I/O16MX1-1.5ms--SERIAL2.7V5.26mm-5.25mmROHS3 Compliant表面贴装83A991.B.1.A不合格3/3.3V8mA16 Mb0.000025ASPI100000 Write/Erase Cycles100HARDWARE/SOFTWARE256BBOTTOM/TOP85°CNO2.03mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS25LQ040B-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC | 对比 | |
| IS25LQ020B-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC | 对比 | |
| IS25LQ010B-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 2.5V/3V/3.3V 1M-bit 128K x 8 8ns 8-Pin SOIC N | 对比 |




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