SST39VF3202-70-4I-EKE备选型号: M29W320EB70N6E
- 隐藏公共属性
- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- Current - Supply (Nom)
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 最大电流源
- 内存大小
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 同步/异步
- 字长
- 编程电压
- 数据轮询
- 拨动位
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 引导模块
- 通用闪存接口
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电源
- 电压
- 访问时间(最大)
- 备用内存宽度
- 准备就绪/忙碌
- 宽度
- 达到SVHC
- IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP7 Weeks表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)YES48Non-Volatile18mA-40°C~85°C TATraySST39 MPF™2000e3yes活跃3 (168 Hours)483A991.B.1.AMatte Tin (Sn) - annealedTOP BOOT BLOCK8542.32.00.513.3VDUAL26010.5mm40SST39VF320218mA32Mb 2M x 1670nsFLASHParallel16b2MX161610μs21b32 Mb0.00002AAsynchronous16b2.7VYESYES3.6V2.7VYES1K2KTOPYES18.4mm1.2mm无ROHS3 Compliant无铅--------
- MICRON M29W320EB70N6EFlash Memory, Boot Block, NOR, 32 Mbit, 4M x 8bit / 2M x 16bit, CFI, Parallel, TSOP, 48 Pins-表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)YES48Non-Volatile10mA-40°C~85°C TATray-2007e4yesObsolete3 (168 Hours)483A991.B.1.ANickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)底部启动区块8542.32.00.513VDUAL26010.5mm30M29W320-32Mb 4M x 8 2M x 16-FLASHParallel-2MX161670ns-32 Mb0.0001AAsynchronous--YESYES--YES8638K64KBOTTOMYES18.4mm1.2mm无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMT3/3.3V2.7V70 ns8YES12mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | M29DW323DT70N6E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | MICRON M29DW323DT70N6EFlash Memory, Boot Block, 32 Mbit, 4M x 8bit / 2M x 16bit, CFI, Parallel, TSOP, 48 Pins | 对比 |





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