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STB100NF03L-03T4备选型号: IRL2203NSTRLPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- 终端
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIIe3Obsolete1 (Unlimited)2EAR993.2MOhmMatte Tin (Sn) - annealed逻辑电平兼容30V鸥翼245100A30STB100N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAIN35 nsN-ChannelSWITCHING3.2m Ω @ 50A, 10V2.5V @ 250μA6200pF @ 25V88nC @ 5V315ns±16V95 ns100A1.7V16V30V400A1.7 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON116A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR997MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE30V鸥翼260116A30--R-PSSO-G2Single增强型MOSFET170WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 60A, 10V3V @ 250μA3290pF @ 25V60nC @ 4.5V160ns±16V66 ns116A3V16V30V400A3 V无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 Weeks2010SMD/SMT75A30V290 mJ84 ns4.572mm10.668mm9.65mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB300NH02L | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N Ch 200V 0.15 Ohm 15A Pwr MOSFET | 对比 |
| IRL2203NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK | 对比 |
| STB80NF03L-04T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 对比 |
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