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首页 全部分类 STB200NF04T4 vs IRF1404ZSTRLPBF

STB200NF04T4备选型号: IRF1404ZSTRLPBF

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  • 宽度
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  • 无铅
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  • 阈值电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
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  • STMicroelectronics
    STB200NF04T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ II
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    3.7MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    40V
    鸥翼
    245
    120A
    30
    STB200N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 90A, 10V
    4V @ 250μA
    5100pF @ 25V
    210nC @ 10V
    320ns
    ±20V
    120 ns
    120A
    20V
    40V
    480A
    4.6mm
    10.4mm
    9.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1404ZSTRLPBF
    Infineon Technologies
    In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 190 A, 40 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRF1404ZSPBF
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    3.7MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    40V
    鸥翼
    260
    75A
    30
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    4340pF @ 25V
    150nC @ 10V
    110ns
    ±20V
    58 ns
    190A
    20V
    40V
    -
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    12 Weeks
    2003
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    DRAIN
    4V
    42 ns
    4 V
    无SVHC
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