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STB21N65M5备选型号: STB23NM60ND
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 接通延迟时间
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650VACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABTin3SILICON1150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)2EAR99150Ohm鸥翼24530STB21N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET125WN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 8.5A, 10V5V @ 250μA1950pF @ 100V50nC @ 10V10ns±25V12 ns17A4V25V650V68A400 mJ4 V4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--- MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3SILICON19.5A Tc150°C TJTape & Reel (TR)FDmesh™ IIe3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼--STB23N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET150WN-ChannelSWITCHING180m Ω @ 10A, 10V5V @ 250μA2050pF @ 50V70nC @ 10V45ns±25V40 ns10A4V25V600V78A700 mJ-4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Matte Tin (Sn) - annealed21 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB25NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II | 对比 |
 | STB26NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | 对比 |
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