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STB23NM60ND备选型号: STB25NM60ND
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON19.5A Tc150°C TJTape & Reel (TR)FDmesh™ IIe3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed鸥翼STB23N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET150W21 nsN-ChannelSWITCHING180m Ω @ 10A, 10V5V @ 250μA2050pF @ 50V70nC @ 10V45ns±25V40 ns10A4V25V600V78A700 mJ4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---- MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON21A Tc150°C TJTape & Reel (TR)FDmesh™ IIe3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)鸥翼STB25N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET160W60 nsN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 10.5A, 10V5V @ 250μA2400pF @ 50V80nC @ 10V30ns±25V40 ns21A4V25V600V84A850 mJ4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅160mOhm24530
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCB20N60TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | 对比 |
 | STB26NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | 对比 |
| STB21NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK | 对比 |
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