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首页 全部分类 STB34NM60N vs IPB60R099CPATMA1

STB34NM60N备选型号: IPB60R099CPATMA1

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  • 引脚数量
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  • 配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STB34NM60N
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STB34NM60N Power MOSFET, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    29A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    STB34N
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    105m Ω @ 14.5A, 10V
    4V @ 250μA
    2722pF @ 100V
    84nC @ 10V
    34ns
    600V
    ±25V
    70 ns
    29A
    3V
    25V
    0.105Ohm
    126A
    600V
    3 V
    4.6mm
    10.75mm
    10.4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB60R099CPATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 31A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263
    -
    -
    -
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    SILICON
    31A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    99m Ω @ 18A, 10V
    3.5V @ 1.2mA
    2800pF @ 100V
    80nC @ 10V
    -
    600V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    0.099Ohm
    93A
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    2006
    e3
    no
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    31A
    800 mJ
  • 添加型号
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