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STB35N65M5备选型号: FCB20N60TM
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 已出版
- 无铅代码
- HTS代码
- 端子位置
- Reach合规守则
- 资历状况
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650VACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON27A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)2EAR9998OhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼24530STB35N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET160WISOLATED60 nsN-ChannelSWITCHING98m Ω @ 13.5A, 10V5V @ 250μA3750pF @ 100V83nC @ 10V12ns±25V16 ns27A4V25V650V800 mJ4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------------
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK-12 Weeks-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON20A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperFET™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99-Tin (Sn)鸥翼未说明未说明FCB20N60-R-PSSO-G2-增强型MOSFET-DRAIN-N-ChannelSWITCHING190m Ω @ 10A, 10V5V @ 250μA3080pF @ 25V98nC @ 10V-±30V-----690 mJ-----ROHS3 Compliant-YES2005yes8541.29.00.95SINGLEnot_compliant不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE600V20A0.19Ohm60A600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB45N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 650V 35A D2PAK | 对比 |
| STB42N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STB42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| STB38N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK | 对比 |
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