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首页 全部分类 STB6N52K3 vs IPB65R660CFDAATMA1

STB6N52K3备选型号: IPB65R660CFDAATMA1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 工厂交货时间
  • 已出版
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  • 箱体转运
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    STB6N52K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    5A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH3™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    1.2Ohm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    鸥翼
    245
    not_compliant
    30
    STB6N
    4
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    70W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 2.5A, 10V
    4.5V @ 50μA
    670pF @ 50V
    26nC @ 10V
    11ns
    ±30V
    18 ns
    5A
    30V
    5A
    525V
    20A
    110 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB65R660CFDAATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO263-3
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    6A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin (Sn)
    -
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    62.5W
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    660m Ω @ 3.2A, 10V
    4.5V @ 200μA
    543pF @ 100V
    20nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    10 ns
    6A
    20V
    6A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    18 Weeks
    2008
    no
    DRAIN
    无卤素
    TO-252AA
    650V
    0.66Ohm
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SPB04N60S5ATMA1 SPB04N60S5ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2 Tab) TO-263 对比