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STB76NF75备选型号: IRF2807ZSPBF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)鸥翼245STB76N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAIN25 nsN-ChannelSWITCHING11m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA3700pF @ 25V160nC @ 10V100ns±20V30 ns80A20V0.011Ohm75V700 mJ无ROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼260--R-PSSO-G2Single增强型MOSFET170WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING9.4m Ω @ 53A, 10V4V @ 250μA3270pF @ 25V110nC @ 10V79ns±20V45 ns75A20V-75V-无ROHS3 Compliant无铅20039.4mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE75V75A304V89A75V4 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | HUF75344S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
| IRFS7787TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK | 对比 |
| IRFS7787PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK | 对比 |
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