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STB80N20M5备选型号: IRFS4227TRLPBF
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- 晶体管元件材料
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- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
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MOSFET N-CH 200V 61A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON61A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)2EAR9923MOhmMatte Tin (Sn)鸥翼24530STB80N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET190WN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 30.5A, 10V5V @ 250μA4329pF @ 50V104nC @ 10V31ns±25V176 ns61A25V65A200V260A无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON62A Tc-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3活跃1 (Unlimited)2EAR9926MOhm-鸥翼26030--R-PSSO-G2Single增强型MOSFET330WN-ChannelSWITCHING26m Ω @ 46A, 10V5V @ 250μA4600pF @ 25V98nC @ 10V20ns±30V31 ns62A30V-200V260A-ROHS3 Compliant无铅Tin32004not_compliant不合格DRAIN33 ns4.826mm10.668mm9.65mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK | 对比 |
| STB75NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| IRFS4127PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 72A D2-PAK | 对比 |
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