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首页 全部分类 STD10NM50N vs FCD9N60NTM

STD10NM50N备选型号: FCD9N60NTM

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  • 配置
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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • DS 击穿电压-最小值
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  • Reach合规守则
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 漏源击穿电压
  • STMicroelectronics
    STD10NM50N
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STD10NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    7A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ II
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    630mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    STD10
    3
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    70W
    7.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    630m Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    450pF @ 50V
    17nC @ 10V
    4.4ns
    500V
    ±25V
    12 ns
    7A
    3V
    25V
    7A
    28A
    500V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCD9N60NTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SupreMOS™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    FCD9N60
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    92.6W
    12.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    385m Ω @ 4.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1000pF @ 100V
    17.8nC @ 10V
    9.6ns
    -
    ±30V
    11.5 ns
    9A
    3V
    30V
    9A
    27A
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    12 Weeks
    260.37mg
    2004
    not_compliant
    不合格
    Single
    DRAIN
    600V
  • 添加型号
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