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首页 全部分类 STD18NF03L vs FDD6796A

STD18NF03L备选型号: FDD6796A

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • STMicroelectronics
    STD18NF03L
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    STD18
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    30W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 8.5A, 10V
    2.2V @ 250μA
    320pF @ 25V
    6.5nC @ 5V
    100ns
    ±16V
    22 ns
    17A
    16V
    0.06Ohm
    30V
    68A
    200 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6796A
    ON Semiconductor
    MOSFET NCH 25V 20A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    20A Ta 40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.7W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    1780pF @ 13V
    34nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    4 ns
    20A
    20V
    0.0057Ohm
    25V
    -
    40 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    e3
    Tin (Sn)
    67A
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